半导体记忆体及其制造方法

摘要

一种包含形成于半导体基材和以彼此垂直方向设置之第一和第二源极区域之半导体记忆体。第一和第二源极区域为扩散区域且在其交叉部份彼此电性连接。该半导体装置复包括形成在半导体基材之汲极区域、与第二源极区域设置方向一致而设置之位元线、以及形成于第二源极区域上之源极线，其中，源极线和第二源极区域间之接触点(contacts)与形成在半导体基材之位元线和汲极区域间之接触点对齐。