半导体装置以及构成半导体结构之方法

摘要

一种半导体装置，包括一基底、一深井区、以及一第一高端装置。基底具有第一传导型态。深井区具有第二传导型态，且形成在基底上。第一高端装置配置在深井区内，且包括一隔离层、一井区、一第一区域、一第二区域、以及一第一多晶矽材料。隔离层具有第二传导型态且形成在基底。井区具有第一传导型态且形成在深井区内。第一区域及一第二区域皆具有第二传导型态且皆形成在井区内。第一多晶矽材料配置在第一区域与第二区域之间且在深井区上。