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L'invention concerne un procédé de formation d'un circuit intégré, comprenant les étapes suivantes : former des composants électroniques sur une première face (10f) d'un substrat (10) ; former un empilement de niveaux d'interconnexion (14) sur ladite première face (10f) , chaque niveau d'interconnexion comprenant des pistes conductrices (40) séparées par un matériau isolant (42) ; former au moins un trou (26) à partir d'une seconde face (10b) du substrat (10), le trou s'arrêtant sur une des pistes conductrices (40) ; déposer, sur les parois et le fond du trou, une couche conductrice (28) et remplir l'espace restant d'un matériau de remplissage (30) ; et former, dans un niveau d'interconnexion ou en surface de l'empilement d'interconnexion (14), et en regard du trou, au moins une région (50) en un matériau présentant un module élastique supérieur à 50 GPa et une élongation à la rupture supérieure à 20 %, isolée des pistes conductrices (40).
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