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发明名称
在积体电路制程中检测缺陷特性的方法
摘要
本发明揭露一种在积体电路制程中检测缺陷特性的方法,方法包含:获得一待测样本的带电粒子显微镜影像,其中待测样本包含一参考图案与一测试图案;测量参考图案与测试图案的灰阶;从参考图案的测量灰阶分布图计算出一标准偏差;以及根据该些测量灰阶与标准偏差判断测试图案的缺陷特性
申请公布号
TWI406347
申请公布日期
2013.08.21
申请号
TW098112829
申请日期
2009.04.17
申请人
汉民微测科技股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区研新一路18号5楼
发明人
萧宏;招允佳
分类号
H01L21/66;G01N21/88
主分类号
H01L21/66
代理机构
代理人
陈达仁 台北市中山区长春路156号5楼
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区研新一路18号5楼
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