发明名称 在积体电路制程中检测缺陷特性的方法
摘要 本发明揭露一种在积体电路制程中检测缺陷特性的方法,方法包含:获得一待测样本的带电粒子显微镜影像,其中待测样本包含一参考图案与一测试图案;测量参考图案与测试图案的灰阶;从参考图案的测量灰阶分布图计算出一标准偏差;以及根据该些测量灰阶与标准偏差判断测试图案的缺陷特性
申请公布号 TWI406347 申请公布日期 2013.08.21
申请号 TW098112829 申请日期 2009.04.17
申请人 汉民微测科技股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区研新一路18号5楼 发明人 萧宏;招允佳
分类号 H01L21/66;G01N21/88 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 陈达仁 台北市中山区长春路156号5楼
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区研新一路18号5楼