发明名称 下行链路发射功率的自校准
摘要 发射功率(例如,最大发射功率)是根据接收机所允许的最大接收信号强度和接收机处来自发射节点的总接收信号强度来定义的。为存取节点(例如,毫微微节点)定义发射功率,以使得在仍能为与存取节点相关联的存取终端提供可接受等级的覆盖范围的情况下,限制在细胞服务区(例如,巨集细胞服务区)中所发生的相应的中断。存取节点根据通道测量结果和所定义的覆盖盲区来自主调节其发射功率,以便抑制干扰和执行自校准处理。
申请公布号 TWI406519 申请公布日期 2013.08.21
申请号 TW098115884 申请日期 2009.05.13
申请人 高通公司 美国 发明人 亚悠兹铭麦;麦许卡堤法赫德;埃尔凯密莫斯塔法S;南达桑吉夫
分类号 H04B7/005 主分类号 H04B7/005
代理机构 代理人 李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址 美国