发明名称 |
具有穿导孔之半导体元件及其制造方法及具有穿导孔之半导体元件之封装结构 |
摘要 |
本发明系关于一种具有穿导孔之半导体元件及其制造方法及具有穿导孔之半导体元件之封装结构。该具有穿导孔之半导体元件包括一矽晶片及至少一穿导孔。该矽晶片包括一矽基材及一主动线路层。该主动线路层系位于该矽基材之一第二表面,且具有至少一金属层。该穿导孔系贯穿该矽基材,且包括一导电金属。该导电金属系电性连接至该主动线路层之金属层,该导电金属之一表面系显露于该矽基材之一第一表面之外。藉此,该半导体元件得以直接堆叠一晶片于其上,且不需要形成一保护层及一重布层于该矽基材之第一表面,进而简化制程并降低成本。 |
申请公布号 |
TWI406380 |
申请公布日期 |
2013.08.21 |
申请号 |
TW098132084 |
申请日期 |
2009.09.23 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 高雄市楠梓加工区经三路26号 |
发明人 |
邱基综;欧英德;王盟仁 |
分类号 |
H01L23/52;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L23/52 |
代理机构 |
|
代理人 |
蔡东贤 台北市松山区敦化北路201号7楼;林志育 高雄市前镇区复兴四路12号9楼之13 |
主权项 |
|
地址 |
高雄市楠梓加工区经三路26号 |