半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在基底上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成半导体膜，使用高频波在大于或等于1×1011cm－3并小于或等于1×1013cm－3的电子密度和大于或等于0.5eV并小于或等于1.5eV的电子温度的条件下藉由对半导体膜实施电浆处理来氧化或氮化半导体膜，形成第二绝缘膜以覆盖半导体膜；在第二绝缘膜上形成闸极电极；形成第三绝缘膜以覆盖闸极电极；以及在第三绝缘膜上形成导电膜。