| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置之制造方法，其不发生图案崩塌，而能将光阻图案细窄化。此一半导体装置之制造方法包含以下步骤：于基底层1上形成光阻层3；于光阻层3获得由可溶层3a及不溶层3b之图案所构成之曝光图案；从形成有曝光图案之光阻层3将可溶层3a除去，并形成光阻图案3c；从光阻图案3c将中间曝光区域3d除去；于中间曝光区域3d经除去之光阻图案3c，导入产生使该光阻图案3c可溶化之可溶化物质的反应物质，并在中间曝光区域3d经除去之光阻图案3c表面形成新的可溶层3e；及从光阻图案3c将新的可溶层3e除去。 |
