包含有含氮芳香环构造之微影用形成防反射膜之组成物

摘要

本发明提供能显示高的防反射效果，不会引起与光阻之间的混杂(intermixing)，可在具有较光阻为更快速的乾蚀刻速度之半导体装置制造的微影步骤(lithography process)中使用之防反射膜、以及为形成该防反射膜之用的组成物。详言之，含有：藉由具有2个缩水甘油基之环氧化合物与具有2个硫醇基或羟基之含氮芳香族化合物之间的加成聚合反应而所得之反应生成物、交联性化合物、交联触媒以及溶剂。