摘要 |
本发明系关于一种用于在一微影曝光过程中判定一基板上之一目标场之曝光设定的方法,其包含藉由在相对于一校准场之位置之一第二方向及第三方向上的复数个校准位置处判定该校准场在一第一方向上之该位置来提供校准资料。该方法亦包含藉由在该第二方向及该第三方向上建立该目标场之该基板上之该位置且藉由在相对于该曝光场在该第二方向及该第三方向上之该位置的至少一量测位置处量测该曝光场在该第一方向上之该位置来提供生产资料。;该方法进一步包含执行该至少一第一相对量测位置与该复数个相对校准位置之间的一比较,及基于该曝光场在该第一方向上之该经量测位置及该校准资料而使用该比较来判定曝光设定,其中该校准资料与不同于该至少一相对量测位置之至少一相对校准位置相关。 |