矽基板及其制造方法

摘要

对应于晶圆加工工程、零件工程之条件，以可以获得具备所要去疵能力之矽晶圆的方式，简单、而且确实来决定被设为初期氧浓度、杂质浓度或电阻系数、热处理条件的CZ法之单晶制造工程之条件。由CZ法所成长之矽单晶被制造，供作为固态摄影元件之零件制造用的矽基板之制造方法，;针对作为元件特性的白点缺陷之产生密度之上下限值、亦即白点条件，与被测定之白点缺陷之产生密度，进行比较，而决定;矽基板中之初期氧浓度、碳浓度、电阻系数、拉伸条件引起之矽基板之内部状态。