发明名称 金属研磨组成物及化学机械研磨方法
摘要 本发明提供了一种金属研磨组成物,其系在制造半导体装置时用于化学机械研磨,包括氧化剂、研磨粒及选自下式(I)和下式(II)代表之化合物中的至少一种化合物。本发明亦提供了使用这种金属研磨组成物之化学机械研磨方法。在式(I)中,R1代表氢原子或烷基,并且Ph代表苯环。在式(II)中,R2代表氢原子或烷基,并且Ph代表苯环。;(I) (II)
申请公布号 TWI411669 申请公布日期 2013.10.11
申请号 TW098109315 申请日期 2009.03.23
申请人 富士软片股份有限公司 日本 发明人 高宫寿美;稻叶正;水谷笃史;加藤知夫;斋江俊之
分类号 C09K3/14;B24B37/11;H01L21/304 主分类号 C09K3/14
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项
地址 日本