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发明名称
金属研磨组成物及化学机械研磨方法
摘要
本发明提供了一种金属研磨组成物,其系在制造半导体装置时用于化学机械研磨,包括氧化剂、研磨粒及选自下式(I)和下式(II)代表之化合物中的至少一种化合物。本发明亦提供了使用这种金属研磨组成物之化学机械研磨方法。在式(I)中,R1代表氢原子或烷基,并且Ph代表苯环。在式(II)中,R2代表氢原子或烷基,并且Ph代表苯环。;(I) (II)
申请公布号
TWI411669
申请公布日期
2013.10.11
申请号
TW098109315
申请日期
2009.03.23
申请人
富士软片股份有限公司 日本
发明人
高宫寿美;稻叶正;水谷笃史;加藤知夫;斋江俊之
分类号
C09K3/14;B24B37/11;H01L21/304
主分类号
C09K3/14
代理机构
代理人
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项
地址
日本
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