发明名称 凸块结构、晶片封装结构及该凸块结构之制备方法
摘要 本揭露涉及一种凸块结构,其包含一第一基板、复数个第一电极、复数个绝缘凸块、复数个金属延伸层以及复数个金属层。复数个第一电极间隔地排列在该第一基板。复数个绝缘凸块相对应于该些第一电极设置且将该些第一电极相互隔离。各金属延伸层形成于相对应之该第一电极与该绝缘凸块之间,且延伸出该绝缘凸块之一侧面,并于相对应之两相邻之该些绝缘凸块间形成一延伸部,其中各该延伸部在其延伸方向上之长度小于相对应之两相邻之该绝缘凸块之间距。各金属层形成于相对应之该绝缘凸块之该侧面与相对应之该延伸部。
申请公布号 TWI412107 申请公布日期 2013.10.11
申请号 TW098133500 申请日期 2009.10.02
申请人 财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 发明人 陆苏财;黄昱玮
分类号 H01L23/48;H01L21/60 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 冯博生 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号