发明名称 |
具有阶层式电容器之积体电路系统及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有阶层式电容器的积体电路系统及其制造方法。其中一种积体电路系统的制造方法,包括:提供包括前段制程电路的基板;采用第一设计规则在上述基板上方形成包括第一指状结构和第二指状结构的第一组金属层,该第一组金属层未形成指状结构导通孔;采用第二设计规则在上述第一组金属层上方形成包括第一指状结构、第二指状结构和指状结构导通孔的第二组金属层,该第二设计规则大于上述第一设计规则;互连上。述第一组金属层和第二组金属层,以形成电容器。 |
申请公布号 |
TWI412105 |
申请公布日期 |
2013.10.11 |
申请号 |
TW099108110 |
申请日期 |
2010.03.19 |
申请人 |
新加坡格罗方德半导体制造私人有限公司 新加坡 |
发明人 |
鞠韶复;张少强;赵国伟;黄泽慧 |
分类号 |
H01L21/784;H01L27/04;H01L29/92 |
主分类号 |
H01L21/784 |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼 |
主权项 |
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地址 |
新加坡 |