发明名称 发光二极体及其制造方法
摘要 本发明涉及一种发光二极体,其包括基板、第一n型氮化镓层、连接层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层、p型电极及n型电极。所述第一n型氮化镓层形成在所述基板上,其具有一个远离所述基板的第一表面,该第一表面包括第一区域和第二区域。所述连接层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层和p型电极依次形成于所述第一区域上。所述n型电极形成在所述第二区域上。所述连接层能够被硷性溶液蚀刻,所述第二n型氮化镓层面向连接层的底面为反向极化氮化镓,且该底面有裸露的粗化表面。本发明还涉及一种发光二极体的制造方法。
申请公布号 TWI414086 申请公布日期 2013.11.01
申请号 TW099137702 申请日期 2010.11.03
申请人 荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 发明人 洪梓健;沈佳辉
分类号 H01L33/22;H01L33/32 主分类号 H01L33/22
代理机构 代理人
主权项
地址 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号