| 摘要 |
本发明之发光元件100具有发光层部24，其具有依序积层AlGaInP所分别构成之n型包覆层4、活性层5及p型包覆层6的双异质结构；且以部分覆盖第一主表面侧为p型、第二主表面侧为n型之贴合对象层50第一主表面的形式，形成光取出侧电极9。又，在该贴合对象层50之第二主表面贴合由Ⅲ-V族化合物半导体所构成之n型透明元件基板90(能带间隙能量大于活性层)。接着，在透明元件基板与贴合对象层50中之一者，形成与另一者之贴合面，且形成贴合面侧形成有n型掺杂物Si浓化之高浓度Si掺杂层3d的InGaP中间层3。藉此，本发明提供一种即使是在发光层部与透明导电性半导体基板之贴合面侧为n型，形成于贴合面侧之InGaP中间层以Si掺杂成n型时，亦可充分降低在贴合界面之元件串联电阻，又，亦可谋求该切换反应性的发光元件。 |
