| 摘要 |
本发明提供了一种用于形成一半导体装置(10)的方法。该方法包括形成一半导体层(16)。该方法进一步包括在该半导体层(16)上形成一闸结构(22)。该方法进一步包括形成一高k(高电介质常数)侧壁间隔层(24)相邻于该闸结构。该方法进一步包括在该半导体层(16)中形成一凹槽(26，28)，该凹槽对准于该高k侧壁间隔层(24)。该方法进一步包括在该凹槽中形成一原位掺杂磊晶材料(30，32)，该磊晶材料具有一与该半导体层(16)之晶格常数不同的自然晶格常数，以在半导体装置(10)之一通道区域中建立应力。 |
