发明名称 钽溅镀靶
摘要 一种钽溅镀靶,其特征在于,含有1massppm以上、100massppm以下之铌作为必要成分,不计铌及气体成分之纯度在99.998%以上。得到具备均一微细之组织、电浆稳定、且膜之均匀性(uniformity)优异之高纯度钽溅镀靶。
申请公布号 TWI413703 申请公布日期 2013.11.01
申请号 TW099115251 申请日期 2010.05.13
申请人 JX日鑛日石金属股份有限公司 日本 发明人 福嶋笃志;小田国博
分类号 C23C14/34;C22C27/02 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项
地址 日本