具有用于表面钝化之结晶矽Ｐ－Ｎ同质接面及非晶矽异质接面的太阳能电池

摘要

本发明阐述一种薄矽太阳能电池。具体而言，该太阳能电池可由具有大约50微米至500微米厚度之结晶矽晶圆制成。该太阳能电池包含具有p－n同质接面之第一区域、产生异质接面表面钝化之第二区域、及产生异质接面表面钝化之第三区域。非晶矽层在低于大约400摄氏(Celsius)度之温度下沈积于该矽晶圆之两侧以减少非晶矽之钝化性质损失。于大约165摄氏度下在两侧最终透明导电氧化物层。向该透明导电氧化物上施加金属触点。用于制作该太阳能电池外层之低温及极薄材料层可保护该薄晶圆免受可能导致晶圆变形之过度应力。