发明名称 氮化硼与硼-氮化物衍生材料的沉积方法
摘要 在此提出方法和设备来形成间隔物材料邻接基板结构。在一实施例中,提出处理基板的方法,包括将基板放到沉积腔室内,且基板具有邻接基板表面的基板结构、沉积间隔物层至基板结构和基板表面、以及蚀刻间隔物层而露出基板结构和部分基板表面,其中间隔物层设置邻接基板结构。间隔物层包含氮化硼材料。间隔物层包含基底间隔物层和衬底层,间隔物层可以二步骤之蚀刻制程蚀刻。
申请公布号 TWI414040 申请公布日期 2013.11.01
申请号 TW098111239 申请日期 2009.04.03
申请人 应用材料股份有限公司 美国 发明人 巴西努米海拉;班却尔克里斯多夫丹尼斯;陈永美;罗弗洛克依莎贝莉塔;夏立群;惠蒂德瑞克R;苗理彦;余燕维克多
分类号 H01L21/76;H01L21/318;H01L21/336 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址 美国
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