发明名称 |
氮化硼与硼-氮化物衍生材料的沉积方法 |
摘要 |
在此提出方法和设备来形成间隔物材料邻接基板结构。在一实施例中,提出处理基板的方法,包括将基板放到沉积腔室内,且基板具有邻接基板表面的基板结构、沉积间隔物层至基板结构和基板表面、以及蚀刻间隔物层而露出基板结构和部分基板表面,其中间隔物层设置邻接基板结构。间隔物层包含氮化硼材料。间隔物层包含基底间隔物层和衬底层,间隔物层可以二步骤之蚀刻制程蚀刻。 |
申请公布号 |
TWI414040 |
申请公布日期 |
2013.11.01 |
申请号 |
TW098111239 |
申请日期 |
2009.04.03 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 美国 |
发明人 |
巴西努米海拉;班却尔克里斯多夫丹尼斯;陈永美;罗弗洛克依莎贝莉塔;夏立群;惠蒂德瑞克R;苗理彦;余燕维克多 |
分类号 |
H01L21/76;H01L21/318;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/76 |
代理机构 |
|
代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
|
地址 |
美国 |