| 摘要 |
实施形态之半导体装置，依序具备：第1电极(13)，第1导电型之第1半导体层(1)；第1导电型之第2半导体层(2)；第2导电型之第3半导体层(3)；第1导电型之第4半导体层(4)。元件区域系于第1沟槽(5)内部具备闸极电极(8)。环状构造之第2沟槽(6)，系形成由：贯穿上述第4半导体层(4)及上述第3半导体层(3)到达上述第2半导体层(2)，于内侧具备元件区域的第1区域；及于外侧将上述第1区域予以包围的第2区域。第1开口部(14)被设于相邻之上述第1沟槽(5)间。宽度大于第1开口部(14)的第2开口部(15)，系设于元件区域外侧之第1区域。介由第1开口部(14)及第2开口部(15)，使第2电极(17)被电连接于第3半导体层(3)及第4半导体层(4)。 |
