| 摘要 |
本发明系提供一种覆晶半导体封装用之接续构造，该构造可使破裂(crack)或剥离之情形受到抑制或降低而提高可靠性，并提升电路基板内层电路之设计自由度而减少电感(inductance)。本发明系提供一种覆晶半导体封装用之接续构造，该构造具有具备芯层(core layer)与增层(build-up layer)之电路基板、隔介金属凸块(bump)而接续于前述电路基板之半导体元件、以及封入于前述半导体元件与前述电路基板之间之密封树脂组成物；其中，前述密封树脂组成物之硬化物之玻璃转移温度为60至150℃，且其从室温至玻璃转移温度为止之线膨胀系数为15至35ppm/℃；前述增层之硬化物之玻璃转移温度为170℃以上，且其在玻璃转移温度以下之面方向之线膨胀系数为40ppm/℃以下；并且，在前述芯层之至少一单侧之增层具有堆叠通孔(Stacked via)。 |
