制造半导体装置的方法

摘要

一种制造半导体装置的方法。上述制造半导体装置的方法包括形成一第一金属层于一基底上，形成一第二层于该第一金属层上，形成一牺牲层于该第二层上，形成一图案化光阻层于该牺牲层上。施以一第一蚀刻制程于该基底，藉由该图案化光阻层做为一遮罩，以图案化该牺牲层，以形成一图案化的牺牲层。施以一第二氢氧化氨-过氧化氢-水混合(APM)溶液于该基底，以图案化该第二层，以形成一图案化的第二层。施以一第三溶液于该基底，以图案化该第一金属层，以及施以一第四湿蚀刻制程以移除该图案化的牺牲层。