具备由具有障蔽机能之金属元素与具有触媒能之金属元素所成之合金膜的基板

摘要

本发明之目的系提供极薄膜之被覆率及成膜均一性优异的具有触媒能与障蔽机能之层，并且提供可形成超微细配线且以薄而均一之膜厚即可使晶种层成膜的预备处理技术，此外，亦提供包含藉由使用该技术并以无电解镀覆而以薄且均一之膜厚形成之晶种层的基板。;本发明之基板之特征为：在基材上，使用化学气相沉积(CVD)法，将由选自钨、钼及铌之1种或2种以上之具有障蔽机能之金属元素与以钌及/或铂构成之对于无电解镀覆具有触媒能之金属元素所成的合金膜，依据使前述具有障蔽机能之金属元素成为5原子%以上、90原子%以下之组成，制成膜厚0.5至5nm之膜。