发明名称 纵型热处理用晶舟及使用此晶舟之矽晶圆的热处理方法
摘要 本发明是一种纵型热处理用晶舟,其具备用以载置被处理基板的支撑辅助构件,该支撑辅助构件分别可装卸地装设在晶舟本体的支撑部上,其中,支撑辅助构件,具有:导引构件,其要被装设在支撑部上;以及板状的基板支撑构件,被处理基板则要被载置于其上;导引构件,在其顶面形成孔;基板支撑构件,要被插嵌于导引构件的孔中而被安置;被处理基板的载置面的高度位置,是比导引构件的顶面的高度位置更高;基板支撑构件,是由碳化矽等所构成;导引构件,则是由石英等所构成。;藉此,提供一种纵型热处理用晶舟及使用此晶舟之矽晶圆的热处理方法,当将矽晶圆这类的被处理基板,载置在配备有支撑辅助构件之纵型热处理用晶舟上,并使用氩气等来进行热处理时,能够一并抑制铁污染被转印至矽晶圆上、以及矽晶圆背面的粗糙化此两种情况。
申请公布号 TWI416657 申请公布日期 2013.11.21
申请号 TW098112308 申请日期 2009.04.14
申请人 信越半导体股份有限公司 日本 发明人 小林武史
分类号 H01L21/683;H01L21/324;H01L21/31 主分类号 H01L21/683
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址 日本
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