| 摘要 |
本发明提供一种在半导体基板中和上制造受应力之MOS装置(stressed MOS device)之方法。该方法包括下列步骤：形成覆于半导体基板上之闸电极(gate electrode)，以及于该半导体基板中蚀刻第一沟槽和第二沟槽，该第一沟槽和第二沟槽形成为对准于该闸电极。选择性地生长应力引发材料(stress inducing material)于第一沟槽和第二沟槽中，并将导电率判定杂质离子植入于应力引发材料中以在该第一沟槽中形成源极区域和在该第二沟槽中形成汲极区域。于该离子植入步骤后，沉积机械硬材料层在该应力引发材料上以维持于基板中引发之应力。 |
