Method of maufacturing amorphous ZnO based Thin Film Transistor

摘要

본 발명은 비정질 아연 산화물계 복합 반도체를 활성층으로 포함하는 박막 트랜지스터에 대한 것으로, 아연 산화물에 복합화되는 갈륨 산화물 및 인듐 산화물의 함량을 조절함으로써 광민감도 특성을 개선하여 디스플레이의 스위칭 및 구동 트랜지스트의 요구 특성을 만족시키는 것이 가능하다.