薄膜元件及其制造方法

摘要

本发明之薄膜元件具备基板以及设置于该基板上之电容器。电容器具有：配置于基板上之下部导体层；配置于该下部导体层上之介电体膜；以及配置于该介电体膜上之上部导体层。介电体膜之厚度为0.02~1 μ m之范围内，且小于下部导体层之厚度。下部导体层之上表面之最大高度粗糙度为介电体膜之厚度以下。