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发明名称
具有上下侧壁接触之相变化记忆胞
摘要
本发明系揭露一种记忆装置与其制造方法。此处所揭露之记忆体装置包括记忆元件以及第一电极,第一电极包括环绕记忆元件之内表面,且第一电极之内表面于第一接触面接触该记忆元件。该装置亦包括相对于第一电极间隔设置之第二电极,第二电极包括一环绕记忆元件之内表面,且第二电极之内表面于第二接触面接触记忆元件。
申请公布号
TWI427773
申请公布日期
2014.02.21
申请号
TW097123947
申请日期
2008.06.26
申请人
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号
发明人
龙翔澜
分类号
H01L27/115;H01L47/00
主分类号
H01L27/115
代理机构
代理人
李贵敏 台北市内湖区民权东路6段109号2楼之1
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路16号
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