发明名称 具有上下侧壁接触之相变化记忆胞
摘要 本发明系揭露一种记忆装置与其制造方法。此处所揭露之记忆体装置包括记忆元件以及第一电极,第一电极包括环绕记忆元件之内表面,且第一电极之内表面于第一接触面接触该记忆元件。该装置亦包括相对于第一电极间隔设置之第二电极,第二电极包括一环绕记忆元件之内表面,且第二电极之内表面于第二接触面接触记忆元件。
申请公布号 TWI427773 申请公布日期 2014.02.21
申请号 TW097123947 申请日期 2008.06.26
申请人 旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 发明人 龙翔澜
分类号 H01L27/115;H01L47/00 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人 李贵敏 台北市内湖区民权东路6段109号2楼之1
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号