| 发明名称 |
改善之接面场效电晶体 |
| 摘要 |
本发明揭露一种具有汲极与源极的接面场效电晶体，每一个皆由一通道所互连的第一型半导体区域所定义。在该电晶体中，在面对通道之汲极侧上的掺杂物轮廓会被修改，以便提供与汲极体部区域(335)相较之下减少掺杂的区域(330)。减少掺杂的区域(330)与体部区域(335)可藉由相同遮罩(300)与掺杂步骤来定义，但是遮罩(300)却可被成型，以提供较小数量及因此较小深度的掺杂，以用于减少掺杂的区域(330)。 |
| 申请公布号 |
TWI427790 |
申请公布日期 |
2014.02.21 |
| 申请号 |
TW099136278 |
申请日期 |
2010.10.25 |
| 申请人 |
美国亚德诺半导体公司 美国 |
发明人 |
达利 保罗 马拉契;班恩 安卓 大卫;包尔斯 德瑞克 费瑞德立克;黛南 安 玛莉雅;邓巴 麦可 汤玛士;麦可关尼斯 派克 马丁;史丹森 伯纳 派克;兰恩 威廉 艾伦 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L21/22 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
