| 摘要 |
本发明系一种反射光学元件，用于软x射线及极端紫外线(EUV)波长范围中的一操作波长，特别用于一EUV蚀刻装置，其具有由至少两交替物质制成的一多层系统，该至少两交替物质在该操作波长下其折射率具有不同实部分，其中一特定另外物质的两附加层(23，23a,b，24，24a,b)系邻接该两交替物质(21，22)的至少其中之一，且其中从其折射率具有一较低实部分之该物质(22)至其折射率具有一较高实部分之该物质(21)的一过渡区处选择该两附加层(23a,b，24a,b)，系与从其折射率具有一较高实部分之该物质(21)至其折射率具有一较低实部分之该物质(22)的一过渡区处者不同。 |
