| 摘要 |
本揭示有关制造单烷基芳族化合物之方法，该方法包括在烷基化反应条件下令包含可烷基化芳族化合物与烷基化剂之进料和包含EMM-12之触媒接触，其中该EMM-12系分子筛，其合成形式与经煅烧形式所具有之X射线绕射图案包括具有晶格面距最大值在14.17至12.57埃之范围，晶格面距最大值在12.1至12.56埃之范围，及介于约8.85至11.05埃之非离散散射的峰值，或显示介于具有晶格面距最大值在10.14至12.0埃之范围与晶格面距最大值在8.66至10.13埃之范围的峰值之间的谷值，且该谷值在经背景校正之最低点所测得强度不低于连接10.14至12.0埃之范围与8.66至10.13埃之范围的最大值之线上同一XRD晶格面距的点之50%。 |
