发明名称 成膜装置,阻障膜制造方法
摘要 本发明之课题在于形成低电阻且覆盖范围优越的阻障膜。;其解决手段系在交互流出金属材料气体与反应性气体时,事先流出逆流防止气体与辅助气体,反应性气体与辅助气体会随和着逆流防止气体之流动,使之接触触媒材料,产生自由基。金属材料气体并不使之接触触媒材料,触媒材料不会劣化。亦可在自由基生成室35与反应室36之间配置淋浴板12,通过贯穿孔14对反应室36供给自由基。
申请公布号 TWI427701 申请公布日期 2014.02.21
申请号 TW096113636 申请日期 2007.04.18
申请人 爱发科股份有限公司 日本 发明人 原田雅通
分类号 H01L21/3205;H01L21/768 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本