发明名称 一种掺杂铬的晶态钨薄膜及其制备方法
摘要 发明公开了一种掺杂铬的晶态钨薄膜及其制备方法,是利用磁控溅射设备直接连续溅射制备出掺杂铬的晶态钨薄膜,省略了后缀的退火处理。具体制备步骤为:将钨靶材放置在磁控溅射设备真空室中的直流溅射台上,把铬靶材放置在钨靶的溅射区内,基片放置在样品台上;对真空室抽真空至背底真空,向真空室充入氩气,并调节氩气流量和溅射气压,调节溅射直流和空载比;沉积溅射前预溅射一段时间后,调节基片至溅射区域,在设置的溅射沉积时间里开始制备掺杂铬的晶态钨薄膜。该工艺操作简单,薄膜为晶态,不脱落。磁控溅射得到的掺杂铬的晶态钨薄膜无需进行后续的热处理过程。
申请公布号 CN103628026A 申请公布日期 2014.03.12
申请号 CN201310627059.9 申请日期 2013.11.29
申请人 北京航空航天大学 发明人 朱开贵;刘方舒
分类号 C23C14/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 主分类号 C23C14/14(2006.01)I
代理机构 北京永创新实专利事务所 11121 代理人 李有浩
主权项 一种掺杂铬的晶态钨薄膜,其特征在于:该掺杂铬的晶态钨薄膜的峰值在[110]、[200]、[211]、[220]。
地址 100191 北京市海淀区学院路37号