发明名称 |
一种掺杂铬的晶态钨薄膜及其制备方法 |
摘要 |
发明公开了一种掺杂铬的晶态钨薄膜及其制备方法,是利用磁控溅射设备直接连续溅射制备出掺杂铬的晶态钨薄膜,省略了后缀的退火处理。具体制备步骤为:将钨靶材放置在磁控溅射设备真空室中的直流溅射台上,把铬靶材放置在钨靶的溅射区内,基片放置在样品台上;对真空室抽真空至背底真空,向真空室充入氩气,并调节氩气流量和溅射气压,调节溅射直流和空载比;沉积溅射前预溅射一段时间后,调节基片至溅射区域,在设置的溅射沉积时间里开始制备掺杂铬的晶态钨薄膜。该工艺操作简单,薄膜为晶态,不脱落。磁控溅射得到的掺杂铬的晶态钨薄膜无需进行后续的热处理过程。 |
申请公布号 |
CN103628026A |
申请公布日期 |
2014.03.12 |
申请号 |
CN201310627059.9 |
申请日期 |
2013.11.29 |
申请人 |
北京航空航天大学 |
发明人 |
朱开贵;刘方舒 |
分类号 |
C23C14/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/14(2006.01)I |
代理机构 |
北京永创新实专利事务所 11121 |
代理人 |
李有浩 |
主权项 |
一种掺杂铬的晶态钨薄膜,其特征在于:该掺杂铬的晶态钨薄膜的峰值在[110]、[200]、[211]、[220]。 |
地址 |
100191 北京市海淀区学院路37号 |