| 摘要 |
<p>L'invention est relative à un modèle de simulation pour une photodiode à jonction P-I-N , comprenant un modèle de diode (30) caractérisant le comportement électrique de la photodiode ; une entrée pour appliquer un signal électrique fictif représentant la puissance optique (PIN) reçue par la photodiode ; un modèle de source de courant (Iphot) ayant une réponse transitoire à une variation du signal de puissance optique, proportionnelle à la somme de :•une première réponse transitoire de premier ordre ayant une constante de temps proportionnelle au temps de transit (τDRIFT) de porteurs dans une zone de déplétion de la jonction, et•une deuxième réponse transitoire de premier ordre ayant une constante de temps proportionnelle au temps de diffusion (TDIFF) de porteurs hors de la zone de déplétion, pondérées respectivement par la longueur (LD) de la zone de déplétion et la longueur (LN) de la jonction hors zone de déplétion.</p> |
