氧化铟锡低温沉积方法及系统

摘要

本发明涉及一种氧化铟锡低温沉积方法和系统，该方法包括以下步骤：将基材置于真空镀膜室内，镀膜室内具有氧化铟锡靶材，在氧化铟锡靶材周围安装冷却脱汽装置；用冷却脱汽装置对基材进行脱汽处理，去除水汽和杂质气体；控制所述氧化铟锡靶材的表面磁场强度在600-900高斯范围内，在100℃温度以下和工作气体下进行镀膜，在基材上形成氧化铟锡膜。该系统包括真空镀膜室、氧化铟锡靶材、基材支撑装置、冷却脱汽装置以及磁场装置。该方法和系统在低温下进行，通过冷却脱汽装置致冷，捕捉水汽和杂质气体，净化沉积氛围，提高镀膜质量，通过提高磁场强度，得到质量高，电阻率低的氧化铟锡晶体。

主权项

一种氧化铟锡低温沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：将基材置于真空镀膜室内，所述真空镀膜室内具有氧化铟锡靶材，在所述氧化铟锡靶材周围安装冷却脱汽装置；用冷却脱汽装置对基材进行脱汽处理，去除水汽和杂质气体；控制所述氧化铟锡靶材的表面磁场强度在600‑900高斯范围内，在100℃温度以下和工作气体下进行真空镀膜，在基材上形成氧化铟锡镀膜。