| 发明名称 | 一种存储单元 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种存储单元，包含控制栅（21），存储单元层（23），控制栅（21）和存储单元（23）之间的绝缘电介质层（22），隧道绝缘层（24），沟道（25），其中，隧道绝缘层（24）位于沟道（25）上方为非平面的。本发明通过在存储单元层与沟道之间的隧道绝缘层为非平面的设计，可以立体地增加沟道宽度，由此增加存储单元沟道打开后的沟道电流，提高存储信息的读取和存储速度，从而为工艺节点的进一步缩小提供条件。 | ||
| 申请公布号 | CN104124250A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201310156694.3 | 申请日期 | 2013.04.28 |
| 申请人 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 发明人 | 吴楠;冯骏 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 马晓亚 |
| 主权项 | 一种存储单元，包含控制栅（21），存储单元层（23），所述控制栅（21）和所述存储单元（23）之间的绝缘电介质层（22），隧道绝缘层（24）以及沟道（25），其特征在于，所述隧道绝缘层（24）位于所述沟道（25）上方为非平面的。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 | ||