| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung betrifft einen Vorrichtung und ein Verfahren zum thermischen Behandeln eines Substrats, insbesondere eines Saphirsubstrats (10), wobei die Vorrichtung folgendes aufweist: einen Substratträger (30), der eine Substrataufnahme (34) zur Anordnung des Substrats (10) am Substratträger (30) aufweist, zumindest eine Laserquelle (20) zur Erzeugung einer zur Substrataufnahme (34) gerichteten Laserstrahlung (21), und zumindest eine Laser-Strahlformungseinheit (22) zur Erzeugung einer transversalen räumlichen Intensitätsverteilung (24) der Laserstrahlung (21), welche Intensitätsverteilung (24) im Bereich einer transversalen Ausdehnung der Substrataufnahme (34) allenfalls lokale Intensitätsmaxima (26a) oder lokale Intensitätsminima (26b) aufweist, in welchen die Intensität der Laserstrahlung (21) um weniger als 20% von einer über die transversale Ausdehnung der Substrataufnahme (34) gemittelten Intensität (25) der Laserstrahlung (21) abweicht.</p> |
