一种半导体激光器芯片欧姆接触金属电极及其制备方法

摘要

一种半导体激光器芯片欧姆接触电极及其制备方法，该欧姆接触电极包括接触金属层组、保护金属层和绝缘层，接触金属层组、保护金属层和绝缘层自下至上依次设置，接触金属层组和绝缘层上覆盖有焊接金属层组；其制备方法是在半导体激光器芯片上依次蒸镀接触金属层组和保护金属层，气相沉积绝缘层，再蒸镀焊接金属层组。本发明可消除金属层间的缺陷孔洞，增加金属间的黏附力，提高器件的欧姆接触、抗热疲劳和散热性能，具有粘附性好、金属层间应力小、金属系抗热疲劳、耐冲击能力强的特点，可有效提高金属电极的导电和导热性能，从而提高了半导体激光器芯片欧姆接触性能、散热能力、可靠性和寿命。

主权项

一种半导体激光器芯片欧姆接触电极，其特征是，包括接触金属层组、保护金属层和绝缘层，接触金属层组、保护金属层和绝缘层自下至上依次设置，接触金属层组和绝缘层上覆盖有焊接金属层组，所述接触金属层组包括至少一个接触金属层，所述焊接金属层组包括至少一个焊接金属层。