发明名称 图形化衬底及其制备方法、外延片制作方法及外延片
摘要 本发明公开了一种图形化衬底及其制备方法、外延片制作方法及外延片,属于发光二极管领域。所述方法包括采用光刻胶掩膜在蓝宝石衬底上形成多个光刻胶凸起,多个所述光刻胶凸起为柱体结构、台体结构和锥体结构中的至少一种;在设置有所述光刻胶凸起的蓝宝石衬底上沉积一层二氧化硅层;采用光刻胶掩膜及刻蚀工艺刻蚀所述二氧化硅层直至裸露出部分蓝宝石衬底,形成多个二氧化硅凸起,每个所述二氧化硅凸起内部包含一个所述光刻胶凸起,多个所述二氧化硅凸起为柱体结构和台体结构中的至少一种;利用显影工艺将所述二氧化硅凸起内部的光刻胶凸起去除。
申请公布号 CN104319329A 申请公布日期 2015.01.28
申请号 CN201410603031.6 申请日期 2014.10.29
申请人 华灿光电股份有限公司 发明人 桂宇畅;张建宝
分类号 H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/22(2010.01)I
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人 徐立
主权项 一种图形化衬底制备方法,其特征在于,所述方法包括:采用光刻胶掩膜在蓝宝石衬底上形成多个光刻胶凸起,多个所述光刻胶凸起为柱体结构、台体结构和锥体结构中的至少一种;在设置有所述光刻胶凸起的蓝宝石衬底上沉积一层二氧化硅层;采用光刻胶掩膜及刻蚀工艺刻蚀所述二氧化硅层直至裸露出部分蓝宝石衬底,形成多个二氧化硅凸起,每个所述二氧化硅凸起内部包含一个所述光刻胶凸起,多个所述二氧化硅凸起为柱体结构和台体结构中的至少一种;利用显影工艺将所述二氧化硅凸起内部的所述光刻胶凸起去除。
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