| 发明名称 | 石英晶片多层离子溅射镀膜机 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种石英晶片多层离子溅射镀膜机，它包括从左往右依次连接的第一腔体（1）、第二腔体（2）和第三腔体（3），所述的第一腔体（1）、第二腔体（2）和第三腔体（3）内均设置有电场发生器（4）和磁场发生器（5），所述的第一腔体（1）上方设置有铬靶（6），第二腔体（2）上方设置有铝靶（7），第三腔体（3）上方设置有金靶（8），所述的第一腔体（1）与第二腔体（2）连接处以及第二腔体（2）与第三腔体（3）的连接处均设置有一隔板（9），隔板（9）中间位置开设有通孔（10）。本实用新型的有益效果是：它具有成本低、镀膜效率高和易于制造的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN204125522U | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201420654878.2 | 申请日期 | 2014.11.05 |
| 申请人 | 东晶锐康晶体（成都）有限公司 | 发明人 | 胡国春;翁斌 |
| 分类号 | C23C14/18(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人 | 袁英 |
| 主权项 | 石英晶片多层离子溅射镀膜机，其特征在于：它包括从左往右依次连接的第一腔体（1）、第二腔体（2）和第三腔体（3），所述的第一腔体（1）、第二腔体（2）和第三腔体（3）内均设置有电场发生器（4）和磁场发生器（5），电场发生器（4）和磁场发生器（5）位于腔体两侧，所述的第一腔体（1）上方设置有铬靶（6），第二腔体（2）上方设置有铝靶（7），第三腔体（3）上方设置有金靶（8），所述的第一腔体（1）与第二腔体（2）连接处以及第二腔体（2）与第三腔体（3）的连接处均设置有一隔板（9），隔板（9）中间位置开设有通孔（10）。 | ||
| 地址 | 610041 四川省成都市高新区西部园区天映路101号 | ||