用于边缘场切换模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法

摘要

本发明涉及边缘场切换模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法。该方法包括：在基板上的像素区中形成TFT；在上面形成第一钝化层；在上面形成公共电极；在上面形成第二钝化层；在上面形成第一厚度的辅助绝缘层；在上面形成分别为第二和第三厚度的第一和第二光刻胶图案；使用第一和第二光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻辅助绝缘层、第二和第一钝化层以形成漏接触孔；进行灰化以去除第二光刻胶图案并露出下方的辅助绝缘层；干法蚀刻以去除不被第一光刻胶图案覆盖的辅助绝缘层并露出第一钝化层，在第一光刻胶图案下方形成绝缘图案；在基板上形成第四厚度的透明导电材料层；进行抬离工序以一起去除第一光刻胶图案及其上的透明导电材料层。

主权项

一种制造边缘场切换模式液晶显示器的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：在基板上的像素区中形成薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成公共电极；在所述公共电极上形成第二钝化层；在所述第二钝化层上形成具有第一厚度的辅助绝缘层；在所述辅助绝缘层上形成分别具有第二厚度和第三厚度的第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，所述第二厚度大于所述第三厚度；使用所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述辅助绝缘层、所述第二钝化层和所述第一钝化层，以形成露出所述薄膜晶体管的漏极的漏接触孔；进行灰化以去除所述第二光刻胶图案并且露出其下方的所述辅助绝缘层；进行干法蚀刻以去除不被所述第一光刻胶图案覆盖的所述辅助绝缘层并且露出所述第一钝化层，并且在所述第一光刻胶图案下方形成绝缘图案，所述绝缘图案和所述第一光刻胶图案形成咬边形状；在具有所述第一光刻胶图案的基板上形成具有小于所述第一厚度的第四厚度的透明导电材料层；以及进行抬离工序以一起去除所述第一光刻胶图案及其上的所述透明导电材料层并且将所述透明导电材料层的剩余部分形成为像素电极。