| 发明名称 |
Field effect transistor device |
| 摘要 |
A semi-metallic structure, comprising an LaAlO3—SrTiO3 heterostructure (19), said LaAlO3—SrTiO3 heterostructure comprising a two-dimensional hole gas (21) and a two-dimensional electron gas (23). |
| 申请公布号 |
GB2511541(B) |
申请公布日期 |
2015.01.28 |
| 申请号 |
GB20130004048 |
申请日期 |
2013.03.06 |
| 申请人 |
TOSHIBA RESEARCH EUROPE LIMITED |
发明人 |
STUART HOLMES |
| 分类号 |
H01L29/10;H01L29/778;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L29/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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