发明名称 具有微结构锆钛酸铅PZT厚膜的制备方法
摘要 本发明提供一种具有微结构锆钛酸铅PZT厚膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括:在基片的表面制备图形化的氧化锌牺牲层;将PZT浆料涂覆在所述氧化锌牺牲层上,在200℃~500℃条件下,进行1~60分钟的预结晶处理;再在600℃~1000℃条件下,进行1~180分钟的结晶处理;将表面覆有所述PZT浆料的所述基片置入腐蚀液中,剥离后得到具有微结构的PZT厚膜。本制备方法通过采用改良浆料和热处理的工艺,能明显提高PZT厚膜的表面平整度和致密度。同时,通过氧化锌作为牺牲层的剥离技术,能克服PZT厚膜难以干净刻蚀的问题。
申请公布号 CN104311007A 申请公布日期 2015.01.28
申请号 CN201410515474.X 申请日期 2014.09.29
申请人 中国科学院声学研究所 发明人 李俊红;任伟;汪承灏
分类号 C04B35/491(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/491(2006.01)I
代理机构 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 代理人 陈霁
主权项 一种具有微结构锆钛酸铅PZT厚膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括:在基片的表面制备图形化的氧化锌牺牲层;将PZT浆料涂覆在所述氧化锌牺牲层上,在200℃~500℃条件下,进行1~60分钟的预结晶处理;再在600℃~1000℃条件下,进行1~180分钟的结晶处理;将表面覆有所述PZT浆料的所述基片置入腐蚀液中,剥离后得到具有微结构的PZT厚膜。
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