发明名称 |
具有微结构锆钛酸铅PZT厚膜的制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种具有微结构锆钛酸铅PZT厚膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括:在基片的表面制备图形化的氧化锌牺牲层;将PZT浆料涂覆在所述氧化锌牺牲层上,在200℃~500℃条件下,进行1~60分钟的预结晶处理;再在600℃~1000℃条件下,进行1~180分钟的结晶处理;将表面覆有所述PZT浆料的所述基片置入腐蚀液中,剥离后得到具有微结构的PZT厚膜。本制备方法通过采用改良浆料和热处理的工艺,能明显提高PZT厚膜的表面平整度和致密度。同时,通过氧化锌作为牺牲层的剥离技术,能克服PZT厚膜难以干净刻蚀的问题。 |
申请公布号 |
CN104311007A |
申请公布日期 |
2015.01.28 |
申请号 |
CN201410515474.X |
申请日期 |
2014.09.29 |
申请人 |
中国科学院声学研究所 |
发明人 |
李俊红;任伟;汪承灏 |
分类号 |
C04B35/491(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/491(2006.01)I |
代理机构 |
北京亿腾知识产权代理事务所 11309 |
代理人 |
陈霁 |
主权项 |
一种具有微结构锆钛酸铅PZT厚膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括:在基片的表面制备图形化的氧化锌牺牲层;将PZT浆料涂覆在所述氧化锌牺牲层上,在200℃~500℃条件下,进行1~60分钟的预结晶处理;再在600℃~1000℃条件下,进行1~180分钟的结晶处理;将表面覆有所述PZT浆料的所述基片置入腐蚀液中,剥离后得到具有微结构的PZT厚膜。 |
地址 |
100190 北京市海淀区北四环西路21号 |