检测芯片内部节点电位的方法

摘要

本发明公开了一种检测芯片内部节点电位的方法，包含如下步骤：选取样品芯片，对样品芯片的背面进行研磨至目标层次；采用化学腐蚀的方法继续腐蚀样品芯片的背面，至绝缘隔离层露出；采用聚焦离子束机台，穿越绝缘层刻蚀出连接通路，并采用铂金属进行填充，并在连接通路的末端形成焊盘；将样品芯片转移至手动测试机台，使用接地电位的探针对焊盘进行预扎针，释放电荷；对探针施加相应的测试信号，进行样品芯片的测试，检测焊盘节点信号的变化。上述方法对多层次金属互联实现了正反面都可以实施电位检测，改善芯片失效分析水平。

主权项

一种检测芯片内部节点电位的方法，其特征在于：包含如下步骤：第一步，选取样品芯片，对样品芯片的背面进行研磨至目标层次；第二步，采用化学腐蚀的方法继续腐蚀样品芯片的背面，至绝缘隔离层露出；第三步，采用聚焦离子束机台，穿越绝缘层刻蚀出连接通路，并采用铂金属进行填充，并在连接通路的末端形成焊盘；第四步，将样品芯片转移至手动测试机台，使用接地电位的探针对焊盘进行预扎针，释放电荷；第五步，对探针施加相应的测试信号，进行样品芯片的测试，检测焊盘节点信号的变化。