制造半导体器件的方法

摘要

本公开涉及制造半导体器件的方法。所述方法抑制了当执行使用刀片的切片步骤以获取具有半导体晶片的减小厚度的半导体芯片时发生的芯片开裂。当在用于半导体晶片的切片步骤中切割半导体晶片时，如下使刀片前进：在沿着第一直线在第一方向(在图12中的Y方向)上进行切割时，使刀片从第一点前进到第二点。第一点位于第一部分中且第二点与第一点相对，在其之间具有穿过半导体晶片的中心点的第二直线。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供基材，所述基材包括具有四边形形状的上表面、沿着所述上表面的第一衬底边形成的多个第一键合引线、沿着面向所述第一衬底边的第二衬底边形成的多个第二键合引线、以及与所述上表面相反的下表面；(b)在步骤(a)之后，经由第一粘合层在所述基材的上表面上布置第一半导体芯片使得第一芯片主边与所述第一衬底边之间的距离在平面图中小于所述第一芯片主边与所述第二衬底边之间的距离，所述第一半导体芯片包括具有四边形形状的第一前表面、沿着所述第一前表面的所述第一芯片主边形成的多个第一键合焊盘、以及与所述第一前表面相反的第一后表面；(c)在步骤(b)之后，经由第二粘合层在所述第一半导体芯片上布置第二半导体芯片使得第二芯片主边与所述第一衬底边之间的距离在平面图中小于所述第二芯片主边与所述第二衬底边之间的距离，使得所述第一键合焊盘从所述第二半导体芯片暴露，并且使得面向所述第二芯片主边的第二芯片相反边从面向所述第一半导体芯片的所述第一芯片主边的第一芯片相反边突出，所述第二半导体芯片包括具有四边形形状的第二前表面、沿着所述第二前表面的所述第二芯片主边形成的多个第二键合焊盘、以及与所述第二前表面相反的第二后表面；(d)在步骤(c)之后，经由第三粘合层在所述第二半导体芯片上布置第三半导体芯片使得第三芯片主边与所述第一衬底边之间的距离在平面图中小于所述第三芯片主边与所述第二衬底边之间的距离，使得所述第二键合焊盘从所述第三半导体芯片暴露，并且使得面向所述第三芯片主边的第三芯片相反边从所述第二半导体芯片的所述第二芯片相反边突出，所述第三半导体芯片包括具有四边形形状的第三前表面、沿着所述第三前表面的所述第三芯片主边形成的多个第三键合焊盘、以及与所述第三前表面相反的第三后表面；(e)在步骤(d)之后，经由第四粘合层在所述第三半导体芯片上布置第四半导体芯片使得第四芯片主边与所述第一衬底边之间的距离在平面图中小于所述第四芯片主边与所述第二衬底边之间的距离，使得所述第三键合焊盘从所述第四半导体芯片暴露，并且使得面向所述第四芯片主边的第四芯片相反边从所述第三半导体芯片的所述第三芯片相反边突出，所述第四半导体芯片包括具有四边形形状的第四前表面、沿着所述第四前表面的所述第四芯片主边形成的多个第四键合焊盘、以及与所述第四前表面相反的第四后表面；(f)在步骤(e)之后，将多个第一导线分别与所述第一键合焊盘电连接；(g)在步骤(f)之后，将多个第二导线分别与所述第二键合焊盘电连接；(h)在步骤(g)之后，将多个第三导线分别与所述第三键合焊盘电连接；(i)在步骤(h)之后，将多个第四导线分别与所述第四键合焊盘电连接；(j)在步骤(i)之后，经由第五粘合层在所述第四半导体芯片上布置第五半导体芯片使得第五芯片主边与所述第二衬底边之间的距离在平面图中小于所述第五芯片主边与所述第一衬底边之间的距离，使得所述第四键合焊盘从所述第五半导体芯片暴露，并且使得所述第五芯片主边从所述第四半导体芯片的所述第四芯片相反边突出，所述第五半导体芯片包括具有四边形形状的第五前表面、沿着所述第五前表面的所述第五芯片主边形成的多个第五键合焊盘、以及与所述第五前表面相反的第五后表面；(k)在步骤(j)之后，经由第六粘合层在所述第五半导体芯片上布置第六半导体芯片使得第六芯片主边与所述第二衬底边之间的距离在平面图中小于所述第六芯片主边与所述第一衬底边之间的距离，使得所述第四半导体芯片的所述第四前表面的一部分被所述第六半导体芯片覆盖，使得所述第五键合焊盘从所述第六半导体芯片暴露，并且使得面向所述第六芯片主边的第六芯片相反边从面向所述第五半导体芯片的所述第五芯片主边的第五芯片相反边突出，所述第六半导体芯片包括具有四边形形状的第六前表面、沿着所述第六前表面的所述第六芯片主边形成的多个第六键合焊盘、以及与所述第六前表面相反的第六后表面；(l)在步骤(k)之后，经由第七粘合层在所述第六半导体芯片上布置第七半导体芯片使得第七芯片主边与所述第二衬底边之间的距离在平面图中小于所述第七芯片主边与所述第一衬底边之间的距离，使得所述第三半导体芯片的所述第三前表面的一部分被所述第七半导体芯片覆盖，使得所述第六键合焊盘从所述第七半导体芯片暴露，并且使得面向所述第七芯片主边的第七芯片相反边从所述第六半导体芯片的所述第六芯片相反边突出，所述第七半导体芯片包括具有四边形形状的第七前表面、沿着所述第七前表面的所述第七芯片主边形成的多个第七键合焊盘、以及与所述第七前表面相反的第七后表面；(m)在步骤(l)之后，经由第八粘合层在所述第七半导体芯片上布置第八半导体芯片使得第八芯片主边与所述第二衬底边之间的距离在平面图中小于所述第八芯片主边与所述第一衬底边之间的距离，使得所述第二半导体芯片的所述第二前表面的一部分被所述第八半导体芯片覆盖，使得所述第七键合焊盘从所述第八半导体芯片暴露，并且使得面向所述第八芯片主边的第八芯片相反边从所述第七半导体芯片的所述第七芯片相反边突出，所述第八半导体芯片包括具有四边形形状的第八前表面、沿着所述第八前表面的所述第八芯片主边形成的多个第八键合焊盘、以及与所述第八前表面相反的第八后表面；(n)在步骤(m)之后，将多个第五导线分别与所述第五键合焊盘电连接；(o)在步骤(n)之后，将多个第六导线分别与所述第六键合焊盘电连接；(p)在步骤(o)之后，将多个第七导线分别与所述第七键合焊盘电连接；(q)在步骤(p)之后，将多个第八导线分别与所述第八键合焊盘电连接；以及(r)在步骤(q)之后，以树脂密封所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七和第八半导体芯片以及所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七和第八导线；其中，多个布线和覆盖所述布线的阻焊膜均形成在所述基材的所述上表面上；其中，所述第八半导体芯片是最上层芯片；其中，所述第一、第五和第八半导体芯片中的每一个的厚度大于所述第二、第三、第四、第六和第七芯片中的每一个的厚度；并且其中，所述第一、第五和第八半导体芯片的厚度相同。