| 摘要 |
<p>ゲート電極（７）とエミッタ電極（９）を持つ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタがトランジスタ領域に設けられている。トランジスタ領域の周囲に終端領域が配置されている。トランジスタ領域において、Ｎ型ドリフト層（１）の下に第１のＮ型バッファ層（１８）が設けられている。第１のＮ型バッファ層（１８）の下にＰ型コレクタ層（１９）が設けられている。終端領域において、Ｎ型ドリフト層（１）の下に第２のＮ型バッファ層（２０）が設けられている。Ｐ型コレクタ層（１９）と第２のＮ型バッファ層（２０）にコレクタ電極（２１）が直接に接続されている。第２のＮ型バッファ層（２０）の不純物濃度はコレクタ電極（２１）に近づくほど小さくなる。第２のＮ型バッファ層（２０）は、コレクタ電極（２１）とはオーミックコンタクトを構成していない。</p> |
