发明名称 发光二极体结构改良
摘要
申请公布号 TWM496851 申请公布日期 2015.03.01
申请号 TW103212549 申请日期 2014.07.15
申请人 葳天科技股份有限公司 发明人 邢陈震仑;洪荣豪;谢孟庭
分类号 H01L51/50 主分类号 H01L51/50
代理机构 代理人 谢佩玲 台北市大安区罗斯福路2段107号12楼;王耀华 台北市大安区罗斯福路2段107号12楼
主权项 一种发光二极体结构改良,包括:一导线架,其上具有复数电极部,该些电极部上各具有一顶面及一背面,该些电极部之间各具有一间隙;一胶座,系设于该导线架上,使该些电极部的背面外露,该胶座上具有一外墙,该外墙上具有一顶部,该外墙围设有一开口,该开口使该电极部的顶面外露;另,于该外墙延伸有一使该开口内径缩小的内墙,该内墙具有一平面的顶部及一内侧壁,该内墙的顶部与该内墙的内侧壁连接处具有一第一转角线,且该内墙的顶部的高度低于该外墙的顶部;一发光晶片,其上具有一顶面、一背部及复数个与该发光晶片的顶面及背部连接的侧面,该侧面与该顶面连接处具有一第二转角线,在该发光晶片的背部固接于该些电极部的其一或其二的顶面上;及一胶体,设于该发光晶片及该内墙之间,该胶体具有一表面部,该表面部界于该内墙的第一转角线与该发光晶片的第二转角线之间,使该发光晶片的顶面外露。
地址 桃园市中坜区西园路89号