| 主权项 |
一种包括反相器电路及像素之半导体装置，该反相器电路包括：第一电晶体；第二电晶体；且其中，该第一电晶体之源极系电连接至该第二电晶体之汲极，其中，该第一电晶体之闸极系电连接至该第一电晶体之该源极，其中，该第一电晶体和该第二电晶体的至少其中一者之通道形成区包括第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层，该第二氧化物半导体层包括以In-Sn-Zn-O为基础的半导体，其中，该第二氧化物半导体层系设置于该第一氧化物半导体层上，并且其中，该第一氧化物半导体层具有比该第二氧化物半导体层更低的电阻率，以及该像素包括第三电晶体，其中，该第三电晶体之通道形成区系由单层的第三氧化物半导体层所形成的。
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