| 发明名称 |
具有经均匀矽化之鳍状端部的多闸极电晶体 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI475605 |
申请公布日期 |
2015.03.01 |
| 申请号 |
TW098140285 |
申请日期 |
2009.11.26 |
| 申请人 |
格罗方德美国公司 |
发明人 |
拜耳 史芬;派丝 派克;吉迪凯特 雷尼尔;候尼史奇尔 詹 |
| 分类号 |
H01L21/283;H01L21/336;H01L29/78;H01L27/12 |
主分类号 |
H01L21/283 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种制造半导体装置的方法，包括下列步骤：在复数个鳍上形成多闸极电晶体的闸极电极结构，其中，该闸极电极结构包括闸极电极材料，且其中，该复数个鳍的各者的端部系自该闸极电极结构侧向延伸；在该闸极电极结构和该多闸极电晶体之该复数个鳍的至少该等端部之上形成介电材料；在该介电材料中形成开口以便延伸穿过且暴露该等端部各者之剖面区；形成金属层以至少覆盖该开口的侧壁；在形成该开口后，藉由热处理于暴露于该开口之该等端部各者之该剖面区中形成接触区域；于该开口中形成接触元件，该接触元件连接至该等接触区域各者；以及于形成该等接触区域之前，去除该介电材料之一部分，以便暴露该闸极电极材料之一部分。
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| 地址 |
美国 |
